MOS管發(fā)熱的可能性原因

在開關(guān)電池應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如，DC-DC電池中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來(lái)執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量釋放給負(fù)載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此，我們電路或者電池方案人員*關(guān)心的是MOS的*小傳導(dǎo)損耗。
我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗，對(duì)開關(guān)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，RDS(ON)也是*重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng)，RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的*簡(jiǎn)單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。
1.發(fā)熱情況有，電路方案的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電池高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是方案電路的*忌諱的錯(cuò)誤。
2.頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒(méi)有做好足夠的散熱方案，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于*大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。

尊敬的客戶：

您好，我司是一支技術(shù)力量雄厚的高素質(zhì)的開發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質(zhì)產(chǎn)業(yè)、完整的解決方案和上等的技術(shù)服務(wù)公司。主要產(chǎn)業(yè)有三端穩(wěn)壓芯片，DC-DC升壓芯片，電壓檢測(cè)芯片，MOS管等。本企業(yè)堅(jiān)持以誠(chéng)信立業(yè)、以品質(zhì)守業(yè)、以進(jìn)取興業(yè)的宗旨，以更堅(jiān)定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動(dòng)化行業(yè)作出貢獻(xiàn)，歡迎新老顧客放心選購(gòu)自己心儀的產(chǎn)業(yè)。人們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！

上一篇： MOS管與預(yù)驅(qū)動(dòng)器的匹配技巧
下一篇：穩(wěn)壓管的串并聯(lián)特性介紹

聯(lián)系電話：0755-83221606 公司地址：深圳市龍崗區(qū)萬(wàn)科紅立方大廈1612室

服務(wù)電話：13600198100

工作時(shí)間
早9:00 - 晚18:00
周六日休息

久久成人免费全裸黄片-久久成人免费影视影视-久久成人片-久久成人热-久久成人三级片-久久成人色

MOS管發(fā)熱的可能性原因