MOS管和IGBT模塊的測(cè)試方法

MOS管(MOSFET)的測(cè)試方法:
場(chǎng)效應(yīng)管,如果已知型號(hào)與管腳,用萬(wàn)用電表測(cè)G(柵極)和S(源極)之間,G與D(漏極)之間沒(méi)有PN結(jié)電阻,說(shuō)明該管子已壞.用萬(wàn)用電表的R×1kΩ檔,其表棒分別接在場(chǎng)效應(yīng)管的S極和D極上,然后用手碰觸管子和G極,若表針不動(dòng),說(shuō)明管子不好;若表針有較大幅度的擺動(dòng),說(shuō)明管子可用.
另外:1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別
(1)從包裝上區(qū)分
由于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極易被擊穿損壞,所以管腳之間一般都是短路的或是用金屬箔包裹的;而結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在包裝上無(wú)特殊要求.
(2)用指針式萬(wàn)用表的電阻檔量測(cè)
用萬(wàn)用表的“R×lk”檔或“R×100”檔測(cè)G、S管腳間的阻值,N結(jié)的正、反向阻值,此管為結(jié)型管.
2、用萬(wàn)用表電阻檔判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管管腳
一般用R×1k或R×100檔進(jìn)行量測(cè),量測(cè)時(shí),任選兩管腳,測(cè)正、反向電阻,阻值都相同(均為幾千歐)時(shí),該兩極分別為D、S極(在使用時(shí),這兩極可互換),余下的一極為由于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在量測(cè)時(shí)易損壞,所以不使用此方法進(jìn)行管腳識(shí)別,一般以查手冊(cè)為宜.
簡(jiǎn)單方法檢測(cè)IGBT模塊的好壞：
l 、判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉?R×1K 。擋，用萬(wàn)用表量測(cè)時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極( G )。其余兩極再用萬(wàn)用表量測(cè)，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后量測(cè)阻值較小。在量測(cè)阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極( C ) ：黑表筆接的為發(fā)射極( E )。
　 2 、判斷好壞將萬(wàn)用表?yè)茉?R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極( C ) ，紅表筆接 IGBT 的發(fā)時(shí)極 ( E ) ，此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極( G )和集電極( C ) ，這時(shí)工 GBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站們指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極( G )和發(fā)射極( E ) ，這時(shí) IGBT 被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷 IGBT 是好的。
　 3 、注意事項(xiàng)任何指針式萬(wàn)用表鈴可用于檢測(cè) IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉?R×IOK擋，因 R×IKQ 檔以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無(wú)法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護(hù)檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ( P 一 MOSFET )的好壞。

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MOS管和IGBT模塊的測(cè)試方法